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信息存儲應(yīng)用技術(shù)
  • 一種光可讀信息盤的保持架的制作方法
    ?一種光可讀信息盤的保持架本實用新型涉及一種光可讀信息盤的,如只讀光盤(CD)的,保持架,特別是一種可與這種光盤免除嚙合(releasableengageable)的保持架。自從在大約1980年發(fā)明光可讀信息盤以來,見例如美國菲利浦公司的美國專利4,410,978號,就不斷有人提出用于這種盤盒或保...
  • 電阻性交點存儲器單元陣列的等電位讀出法的制作方法
    ?電阻性交點存儲器單元陣列的等電位讀出法本專利申請是1997年11月20日提交的No.08/974,925和1999年10月29日提交的No.09/430,238美國專利申請的部分后繼申請。本發(fā)明涉及到數(shù)據(jù)存儲器件。更具體而言,本發(fā)明涉及到一種數(shù)據(jù)存儲器件,包括一種電阻性交點存儲器單元陣列和讀出該...
  • 一種CP構(gòu)架的磁性隨機存儲器及其信息讀取方法與流程
    一種CP構(gòu)架的磁性隨機存儲器及其信息讀取方法本發(fā)明屬于磁性材料與元器件領(lǐng)域,涉及磁性隨機存儲器(MagneticRandomAccessMemory,MRAM),具體涉及一種交叉點型(Cross-Point,CP)構(gòu)架MRAM及其信息讀取方法。磁性隨機存儲器(MRAM)是一種基于巨...
  • 一種16Bit片外一次性可編程電路的制作方法
    本發(fā)明涉及存儲電路,特別是一種bit片外一次性可編程電路。、一次性可編程存儲器件,歸屬于非易失性存儲器(nvm,non-volatile?memory),其編程過程是不可逆的,由于其成本低于多次性可編程器件,適合用在成本不高以及程序固定不變的的電子產(chǎn)品中,如電源管理芯片等。具體的,電源管理...
  • 一種存儲單元間數(shù)據(jù)可多向交互的存儲器及其實現(xiàn)方法與流程
    本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,尤其涉及一種存儲單元間數(shù)據(jù)可多向交互的存儲器及其實現(xiàn)方法。、現(xiàn)有的存儲單元之間的數(shù)據(jù)傳輸,通常通過在一定距離插入驅(qū)動器完成數(shù)據(jù)傳輸,這種數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆椒ㄊ剐盘栐谡麄€互連線上處于較大的電壓擺幅狀態(tài),對電源網(wǎng)絡(luò)的沖擊較大,而且功耗較高,這樣的存儲器應(yīng)用至圖像傳感器容易導(dǎo)致...
  • 存儲器及其編程方法與流程
    本申請涉及存儲裝置,更具體地,涉及存儲器的編程方法、讀取方法及設(shè)備。、閃速存儲器是一種非易失性存儲器,其能夠在不加電的情況下保持所存儲的數(shù)據(jù)。相較于傳統(tǒng)硬盤,閃速存儲器具有更快的讀取速度、更低的功耗、更好的抗震性等優(yōu)點,也因此被越來越多的應(yīng)用。例如,閃速存儲器常被用到諸如個人計算機、數(shù)字相...
  • 半導(dǎo)體版圖及存儲器版圖的制作方法
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,尤其涉及一種半導(dǎo)體版圖及存儲器版圖。、目前,字線驅(qū)動器排布在存儲陣列之間,字線驅(qū)動器的排布受字線間隔的影響。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,構(gòu)成存儲單元的器件尺寸不斷縮小,字線間隔也越來越小,字線驅(qū)動器的尺寸也需要相應(yīng)地減小,字線驅(qū)動器的排布和字線驅(qū)動器與其他器件之間的走線也受到限制...
  • 一種測試電路和存儲器的制作方法
    本公開涉及半導(dǎo)體,尤其涉及一種測試電路和存儲器。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,人們在制造和使用計算機等設(shè)備時,對數(shù)據(jù)的傳輸速度提出了越來越高的要求。以動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory,dram)為例,為了保證其存儲功能的正確性,需要對存儲器進行測試...
  • 存儲設(shè)備測試方法、裝置及電子設(shè)備與流程
    本申請涉及計算機,更具體地涉及一種存儲設(shè)備測試方法、裝置及電子設(shè)備。、存儲設(shè)備的壓力測試可以評估存儲設(shè)備在高負載或極端條件下性能和穩(wěn)定性,通過模擬實際使用場景中的高強度負載,壓力測試可以幫助了解存儲設(shè)備在極限條件下的表現(xiàn),從而確保其在實際應(yīng)用中的可靠性和性能。、可以采用連續(xù)讀寫腳本進行長周...
  • 磁存儲器裝置的制作方法
    本公開涉及磁存儲器裝置。、在電子裝置的高速和低功率的情況下,嵌入電子裝置中的存儲器裝置需要快速的讀取/寫入操作和低的操作電壓。已經(jīng)研究了作為滿足這樣的要求的存儲器裝置的磁存儲器裝置。磁存儲器裝置是非易失性的并能夠高速操作,并且因此已被關(guān)注為下一代存儲器。、隨著磁存儲器裝置日益高度集成,正在...
  • 測試器件、測試方法和測試系統(tǒng)與流程
    本申請涉及存儲器領(lǐng)域,具體而言,涉及一種測試器件、測試方法和測試系統(tǒng)。、磁性隨機存儲器(magnetoresistive?random?access?memory,mram)以磁性隧道結(jié)(magnetic?tunnel?junction,mtj)為信息存儲基本單元。利用final?wat(...
  • 半導(dǎo)體存儲裝置的制作方法
    本公開涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置,特別是涉及sram(static?random?accessmemory,靜態(tài)隨機存取存儲器)。、sram作為安裝在半導(dǎo)體集成電路裝置內(nèi)的主要存儲器中的一種而被廣泛使用。、作為現(xiàn)有技術(shù),例如在專利文獻中公開了一種半導(dǎo)體存儲裝置,其中,構(gòu)成sram存儲單元的晶體...
  • 用于非易失性存儲器單元的矢量-矩陣乘法陣列的輸出塊的制作方法
    公開了用于非易失性存儲器單元的陣列的輸出塊的許多示例。、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模擬生物神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(動物的中樞神經(jīng)系統(tǒng),特別是大腦),并且用于估計或近似可取決于大量輸入并且通常未知的函數(shù)。人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通常包括互相交換消息的互連″神經(jīng)元″層。、圖例示了人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),其中圓圈表示神經(jīng)元的輸入或?qū)?。連接部(稱...
  • 一種內(nèi)存卡偽擴容檢測方法和系統(tǒng)與流程
    本發(fā)明涉及內(nèi)存卡檢測領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種內(nèi)存卡偽擴容檢測方法和系統(tǒng)。、隨著閃存技術(shù)的廣泛應(yīng)用,內(nèi)存卡作為便攜式存儲介質(zhì)被廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、智能手機、行車記錄儀等設(shè)備中。為了追求更高的容量與更低的成本,一些不法廠商通過對內(nèi)存卡固件進行篡改,制造出標(biāo)稱容量遠高于實際容量的“偽擴容卡”。...
  • 半導(dǎo)體芯片的制作方法
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,尤其涉及一種半導(dǎo)體芯片。、隨著存儲器技術(shù)的發(fā)展,存儲器中的芯片由d架構(gòu)發(fā)展為d架構(gòu),存儲陣列和邏輯電路分設(shè)于不同的半導(dǎo)體芯片上。但是,半導(dǎo)體芯片上的數(shù)據(jù)線在傳輸數(shù)據(jù)時的電壓值可能不滿足預(yù)設(shè)需求,影響半導(dǎo)體芯片的性能。技術(shù)實現(xiàn)思路、以下是對本發(fā)明詳細描述的主題的概述。本概述...
  • 存儲裝置的制作方法
    實施方式總體而言涉及存儲裝置。、存儲裝置的例子包括磁存儲裝置。磁存儲裝置利用磁阻效應(yīng)來存儲數(shù)據(jù)。技術(shù)實現(xiàn)思路、一個實施方式涉及的存儲裝置具備存儲單元、第布線、第布線、第開關(guān)、電流鏡電路以及感測放大電路。上述存儲單元具有第端及第端。上述第布線與上述第端連接。上述第布線與上述第端連接。上述第開...
  • LDPC解碼能力測試應(yīng)用方法、裝置、存儲設(shè)備、存儲介質(zhì)和程序產(chǎn)品與流程
    本發(fā)明涉及存儲,具體而言,涉及一種ldpc解碼能力測試應(yīng)用方法、裝置、存儲設(shè)備、存儲介質(zhì)和程序產(chǎn)品。、低密度奇偶校驗碼(low?density?parity?check?code,簡稱:ldpc)雖然在理想加性高斯白噪聲(additive?white?gaussian?noise,簡稱:a...
  • 用于閃存芯片的信號校準方法及閃存控制器與流程
    本申請涉及存儲,尤其涉及用于閃存芯片的信號校準方法及閃存控制器。、onfi、toggle等接口標(biāo)準定義操作nand閃存的方式。在操作nand閃存時,需要調(diào)整采樣信號相對于dq信號的采樣窗口,在合適的時機對dq信號進行采樣,以獲取理想的數(shù)據(jù)。在onfi、toggle等接口標(biāo)準定義中還定義了d...
  • 一種差分讀寫電路、存儲器、差分讀寫電路的讀寫方法與流程
    本申請涉及集成電路,特別是涉及一種差分讀寫電路、存儲器、差分讀寫電路的讀寫方法。、圖為傳統(tǒng)的差分讀寫電路結(jié)構(gòu)示意圖;如圖所示,在非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器(magnetoresistive?random?access?memory,mram)中,差分存儲是利用兩個存儲單元存儲一位數(shù)據(jù)的存儲方...
  • 一種數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)容量檢測裝置的制作方法
    本技術(shù)涉及硬盤檢測設(shè)備,更具體地說,本技術(shù)涉及一種數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)容量檢測裝置。、數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)是用于存儲數(shù)據(jù)的載體,它可以是各種不同的形式,例如硬盤、固態(tài)硬盤、光盤、磁帶等,不同的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)具有不同的特點和用途,其中最常見的機械硬盤通常具有較大的存儲容量,適合存儲大量的數(shù)據(jù);而固態(tài)硬盤則具有...
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